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  • 深度剖析三星第二代与第三代3DV-NAND设备之间的差别-亚博网页版

    发布时间: 2021-02-01 00:03首页:主页 > 科技 > 阅读()
    本文摘要:三星公司已经开始批量生产其48层(即单NAND内的48层单元,属于第三代升级技术的3DV-NAND芯片,SSDT3(mSATA模块特850EVOV2 )、NVMESSD (PM 971 ) 各设备包括多个48层的3DV-NAND存储器芯片,通过引线接合技术构筑了相互填充。

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    三星公司已经开始批量生产其48层(即单NAND内的48层单元,属于第三代升级技术的3DV-NAND芯片,SSDT3(mSATA模块特850EVOV2 )、NVMESSD (PM 971 ) 各设备包括多个48层的3DV-NAND存储器芯片,通过引线接合技术构筑了相互填充。

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